Kioxia ontwikkelt kerntechnologie die de praktische implementatie van high-density, low-power 3D DRAM mogelijk maakt

Demonstratie van de technologie op basis van sterk stapelbare oxide-halfgeleiderkanaal transistoren

TOKIO–(BUSINESS WIRE)– Kioxia Corporation, een wereldleider gespecialiseerd in geheugenoplossingen, kondigde vandaag de ontwikkeling aan van sterk stapelbare oxide-halfgeleiderkanaal transistoren die de praktische implementatie van high-density, low-power 3D DRAM mogelijk maken. Deze technologie werd voorgesteld tijdens de IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) die doorging in San Francisco, Verenigde Staten, op 10 december en heeft het potentieel om stroomverbruik te verminderen in een grote waaier van toepassingen, waaronder AI-servers en IoT-componenten.

In het tijdperk van AI is er een groeiende vraag naar DRAM met meer capaciteit en minder stroomverbruik die grote hoeveelheden gegevens kan verwerken.

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, die als enige rechtsgeldig is.

Bekijk het oorspronkelijke bericht op businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20251211299416/nl/

Contacts

Kota Yamaji

Public Relations

Kioxia Corporation

+81-3-6478-2319

kioxia-hd-pr@kioxia.com